在今后的2年～3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说，到2011年～2012年，通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元～4位/单元的多值技术，NAND闪存有很大的可能性实现128Gb的容量。
但是，如果要实现超过128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技术。目前正在量产的NAND闪存通常都使用浮栅结构的存储单元。许多工程师也认为，2011年～2012年将量产的2Xnm工艺及其后的20nm工艺仍可采用现有的浮栅结构的存储单元。但据SanDisk公司分析，当工艺发展到20nm以下时，从原理上来看，就很难再沿用现有的技术。由于存储单元的尺寸过小，晶体管将极不稳定，因此有可能会出现数据错误的情况。而且，工艺节点进一步缩小后，还将存在光刻设备能否满足工艺需求的问题。
由于NAND闪存的集成度在20nm工艺之后仍将继续提高，所以存储器结构必须要有根本性的变化。其中，将存储单元纵向层叠的三维技术能说是最有希望的候补技术。
该技术的最大优点是，即使采用比最先进工艺落后数代的制造工艺，也能轻松实现与使用最先进工艺时相同的大容量与低成本。目前，各闪存生产商正在加速开发三维层叠技术。2009年6月在日本京都召开的半导体技术国际会议“2009 Symposium on VLSI Technology/Circuits”上，各厂商将会发表各种三维层叠技术。比如，三星电子公司将发布被称为“Vertical Gate NAND(VG-NAND)”的三维技术。该技术中存储单元的层叠数没有限制，这为实现Tb级的存储器开拓了新的道路。该公司已证实，采用该结构的存储单元可以稳定地进行写入、删除、读出等操作。
东芝公司也宣布其之前所开发的低成本三维层叠技术“BiCS(bit-cost scalable)”又有了新的进展。该公司已试制出层叠了16层存储阵列的实验芯片，使用的是BiCS的改良技术 “Pipe shaped BiCS”，每层的容量可达1Gb。该芯片采用60nm制造工艺，每bit的实际存储单元面积仅为0.00163μm2，与该公司和SanDisk公司在“ISSCC 2009”上共同发布的采用32nm工艺、3位/单元的多值技术制造的32Gb NAND闪存的面积大致相同。
据DRAMeXchange发表的一份报告，在向更先进的NAND闪存制造工艺过渡过程中出现的生产问题，已导致产量低于预期。另外，由于iPhone和iPod预计将消耗大量闪存芯片，市场已开始担心闪存会出现短缺。 从第二季度开始，NAND闪存厂商慢慢的开始生产基于更薄电路的芯片。但是，由于该技术并未完全成熟，因此目前的产能达不到当初的生产计划。 在过去三个月里，NAND闪存的现货价格和合同价格快速上涨。DRAMeXchange认为，价格持续上涨归因于向更先进生产的基本工艺过渡过程中产生的问题。 据DRAMeXchange的数据，第三季度iPod和iPhone将大约用掉全球25%的NAND闪存。由于相当一部分产能分配给了苹果以满足下
据日经亚洲评论报道，长江存储计划今年将产量提高一倍，并开始率先生产192层3D NAND闪存。 两名知情的人说，长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆，约占全球总产量的7%。这将有利于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉，三星电子目前每月约生产48万片晶圆，而美光的月产能约为18万片。 报道指出，长江存储除计划增产外，也在加快技术开发进程。 知情的人说，长江存储最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过，因先进工艺的复杂性，需要一些时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。 长江存储于
进发，长江存储计划今年将产量提高一倍 /
市场调查研究机构iSuppli公布最新调查报告称，二季度全球NAND闪存市场的出售的收益为33.62亿美元，比一季度收入34.49亿美元下降了2.5%，但比去年同期收入30.45亿美元增长了10.4%。 调查公司表示，由于激烈的竞争和经济环境疲软，二季度全球闪存市场收入经历了今年以来明显的下降，在全球七大闪存提供商中，有五家厂商的出售的收益比一季度下降或零增长。 按出售的收益计算，韩国三星电子以42.3%的份额排名第一，二季度它的闪存收入从一季度的14.49亿美元下降了1.9%为14.22亿美元，但比去年同期收入13.82亿美元增长了2.9%。日本东芝排第二位，它的市场占有率为27.5%，收入从一季度的9.42亿美元下
NAND闪存厂商都准备在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。 据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3D NAND闪存芯片的厂商。 该的人说，三星在韩国平泽的新工厂于2021年下半年开始生产，并将在今年提高176层3D NAND芯片的产量。过渡到176层3D NAND闪存制造，预计将使三星新工厂的总产量在2022年提高到每月5万个晶圆。 此外，三星还计划在中国西安工厂扩大128层3D NAND芯片的产量。目前，该工厂正在建设第二期工厂，每月可生产13万至14万片晶圆。第一期工厂的月均生产量为12万个
据韩媒BusinessKorea消息，SK海力士2020年第一季度全世界NAND闪存市场上击败英特尔，重回第五名。 市调机构DRAMeXchange 日前的报告数据显示，SK海力士今年第一季度NAND闪存销售额为14.47亿美元，占全球市场的10.7%。该公司的市场占有率比上一季度增长了1.1%，销售额也比上一季度增长了19.8%。英特尔的市场占有率从9.7%上升到9.9%，但其基于销售额的排名跌至第六位，仅次于SK 海力士。 对此，业内人士认为，SK海力士的市场占有率的增加得益于服务器SSD销量的激增。此前SK海力士在第一季度财务报表会上表示，服务器SSD销量达到了NAND闪存销量的40%。公司第一季度NAND闪存的出货量环比增长了7%，NAN
据iSuppli公司，继价格连续两年上涨之后，NAND闪存将在2010年底回落到关键的1美元/1GB水准，这是被视为可以促使市场接受固态硬盘(SSD)的关键水准，但成本下降来得可能太晚了，难以帮到困境中的SSD市场。 1GB 3-bit per cell (TLC) NAND闪存的价格整个第四季度将平均为1.20美元，到年底降到1.00美元。iSuppli公司的内存价格趋势与预测显示，这大幅低于2010年第一季度，当时TLC平均价格为1.80美元/1GB，2-bit per cell(MLC)闪存平均是2.05美元。这也是NAND闪存价格自2008年第四季度以来首次跌破1美元关口，当时MLC平均价格是0.90美元/1
也救不了SSD市场 /
2020年10月20日，SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。 本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾TM业务。 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。 此后，预计在2025年3月份最终交割时，SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产，包括NAN
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需的可靠性。 V-NAND固态盘有480GB和960GB两个容量点，960GB容量的固态盘提供最高性能，采用64个MLC 3D V-NAND闪存让连续随机读速度提高了20%。 新推出的V-NAND固态盘还提供了35K擦除周期，2.5英寸规格，为服务器制造商提供更高的设计灵活性和可扩展性。 三星电子半导体研发中心执行副总裁E.S. Jung在最近的闪存内存峰会(Flash Memory SUmmit)上表示：“三星的3D V-NAND克服了将制程工艺缩小到10纳米以下的
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